美光表示，推出较小解决方案的主要原因是智能手机原始设备制造商的反馈。制造商们希望为更大的电池留出更多手机内部空间。
美光在其位于美国、中国和韩国的联合客户实验室开发了该产品，并基于其 232 层 3D NAND 技术构建
。与去年 6 月推出的 11 x 13 毫米解决方案相比，UFS 4.0 芯片的占用面积缩小了 20%，在不影响整体性能的情况下减少功耗。美光带来了 HPM（高性能模式），这是一项专有功能，可在智能手机密集使用期间优化性能，号称启用 HPM 时速度可提高 25%。
美光现已推出三种版本的新型 UFS 4.0 存储样品：256GB、512GB 和 1TB。